砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(2)
向贤碧,廖显伯
摘要(Abstract)：
<正>1 Ga As材料和太阳电池的特点以Ga As为代表的III-V族化合物半导体太阳电池为什么能取得高效率呢?这与它们材料的特性,以及所构成的太阳电池器件的结构有关。1)Ga As是一种典型的III-V族化合物半导体材料,具有与Si相似的闪锌矿立方晶系结构,不同的只是Ga和As原子交替占位。Ga As具有直接能带隙,其带隙宽度Eg为1.42 e V(300 K),
关键词(KeyWords)：
基金项目(Foundation):
作者(Author): 向贤碧,廖显伯
参考文献(References)：
- [3]Dimroth F,Schubert U,Bett A W,et al.Next generation Ga In P/Ga In As/Ge multi-junction space solar cells[A].Proceedings of 17th Photovoltaic European Conference[C],Munich,Germany,2001.
- [4]Kasap S.Optoelectronics and photonics:Principles and practices[M].New York:Prentice Hall,2001.
- [5]Lin L Y,Fang Z Q,Zhou B J,et al.Study of high purity LPE-Ga As materials[J].Journal of Crystal Growth,1981,35,535-539.
- [6]Yamaguchi M.Radiation-resistant solar cells for space use[J].Solar Energy Materials and Solar Cells,2001,68(1):31-53.