张进臣,何灿,赵江雷,李吉,严金梅

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摘要(Abstract)：

主要研究不同沉积方式下并联电阻的差异,同时对管式镀膜工艺在不同工艺条件下并联电阻的变化关系进行研究。研究表明,影响并联电阻的主要因素为温度、氮硅比,并联电阻随温度的降低而不断升高,随温度的升高而降低;且其随氮硅比的增加而上升,随氮硅比的减少而下降。

关键词(KeyWords)： PECVD;介电常数;腐蚀速率;并联电阻

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 张进臣,何灿,赵江雷,李吉,严金梅

参考文献(References)：

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