太阳能

2014, No.242(06) 30-33

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Archive) | 高级检索(Advanced Search)

硅太阳电池前表面发射极钝化研究

刘文峰,周大良,杨晓生,成文,姬常晓

摘要(Abstract):

介绍了表面钝化技术在晶体硅太阳电池中的发展和应用,详细阐述了采用热氧化和氢氟酸减薄的方法来制备SiO2钝化膜。实验分别采用800℃、850℃、900℃和950℃对发射极进行热氧化,通过浓度2.5%的HF将钝化膜减薄,制备成电池片。通过测试氧化前后电性能参数、扩散方阻、接触电势和量子效率的变化,确认了最佳氧化条件。实验表明:在850℃、15 min的条件下,SiO2钝化膜能很好地降低硅片的表面复合,提升短波响应,使开路电压和短路电流均得到提升,平均转换效率提高0.23%。

关键词(KeyWords): 硅太阳电池;表面钝化;表面复合

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家科技部863计划课题资助项目(2012AA050303)

作者(Author): 刘文峰,周大良,杨晓生,成文,姬常晓

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享