硅片厚度对SE-PERC单晶硅太阳电池制备过程的影响分析ANALYSIS OF INFLUENCE OF SILICON WAFER THICKNESS ON PREPARATION PROCESS OF SE-PERC MONOCRYSTALLINE SILICON SOLAR CELL
朱少杰,王贵梅,王玉涛,王德昌,张志敏
摘要(Abstract):
基于目前主流的选择性发射极-钝化发射极及背接触(SE-PERC)单晶硅太阳电池生产工艺,针对不同硅片厚度在太阳电池制备过程中的表现进行分析、验证及优化。研究结果表明,硅片厚度减薄对湿法刻蚀工艺后硅片的减重、硅片背面抛光效果均有显著的不良影响,而且采用管式PECVD工艺沉积的SiNx薄膜的厚度也出现变薄的现象。若太阳电池制备过程中采用薄硅片,则需对湿法刻蚀工艺和管式PECVD工艺进行预先调节,对自动化设备预先做出相应调整,从而可保证产线的顺利运作。
关键词(KeyWords): 太阳电池;选择性发射极-钝化发射极及背接触;硅片厚度;湿法刻蚀;背面抛光;氮化硅
基金项目(Foundation):
作者(Author): 朱少杰,王贵梅,王玉涛,王德昌,张志敏
DOI: 10.19911/j.1003-0417.tyn20201208.01
参考文献(References):
- [1]李建敏.晶体硅片切割厚度控制工艺方法研究[J].冶金与材料, 2017, 37(5):9-10.
- [2]李中兰.晶体硅材料的机械性能及相关太阳电池工艺的研究[D].杭州:浙江大学, 2010.
- [3]王文静.晶体硅太阳电池制造技术[M].北京:机械工业出版社, 2013.
- [4]吴晓松.等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜制造过程质量控制方法研究[D].上海:上海交通大学, 2015.
- [5]李攀,张倩,夏金松,等. PECVD氮化硅薄膜性质及工艺研究[J].光学仪器. 2019, 41(3):81-86.
- [6]王蔚.集成电路制造技术:原理与工艺[M].北京:电子工业出版社, 2016:158-164.