硅片厚度对SE-PERC单晶硅太阳电池制备过程的影响分析ANALYSIS OF INFLUENCE OF SILICON WAFER THICKNESS ON PREPARATION PROCESS OF SE-PERC MONOCRYSTALLINE SILICON SOLAR CELL
朱少杰,王贵梅,王玉涛,王德昌,张志敏
摘要(Abstract)：
基于目前主流的选择性发射极-钝化发射极及背接触(SE-PERC)单晶硅太阳电池生产工艺,针对不同硅片厚度在太阳电池制备过程中的表现进行分析、验证及优化。研究结果表明,硅片厚度减薄对湿法刻蚀工艺后硅片的减重、硅片背面抛光效果均有显著的不良影响,而且采用管式PECVD工艺沉积的SiNx薄膜的厚度也出现变薄的现象。若太阳电池制备过程中采用薄硅片,则需对湿法刻蚀工艺和管式PECVD工艺进行预先调节,对自动化设备预先做出相应调整,从而可保证产线的顺利运作。
关键词(KeyWords)： 太阳电池;选择性发射极-钝化发射极及背接触;硅片厚度;湿法刻蚀;背面抛光;氮化硅
基金项目(Foundation):
作者(Author): 朱少杰,王贵梅,王玉涛,王德昌,张志敏
DOI: 10.19911/j.1003-0417.tyn20201208.01
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