掺镓硅片电阻率对太阳电池性能的研究
宋志成,吴翔,陈璐,魏凯峰
摘要(Abstract)：
本文将电阻率为0.2~4Ω·cm的掺镓硅片分别制备成常规铝背场电池和PERC电池,并对电池的少子寿命、电性能参数和光致衰减进行测量,研究了电池性能的差别,为掺镓硅片投入工业化生产提供了参考。实验结果表明:常规铝背场电池的转换效率随着电阻率的增加而增加,电阻率为3~4Ω·cm的电池转换效率最高为20.30%;PERC电池的转换效率随着电阻率的增加而减小,电阻率为0.2~1Ω·cm的电池转换效率最高为21.38%。
关键词(KeyWords)： 单晶硅片;掺镓硅片;电阻率;常规铝背场太阳电池;PERC太阳电池;电性能
基金项目(Foundation):
作者(Author): 宋志成,吴翔,陈璐,魏凯峰
参考文献(References)：
- [1]Hilali M,Ebong A,Rohatgi A,et al.Resistivity dependence of minority carrier lifetime and cell performance in p-type dendritic web silicon ribbon[J].Solid-State Electronics,2001,45(12):1973-1978.
- [2]赵富鑫,魏彦章.太阳电池及其应用[M].北京:国防工业出版社,1985:314-315.
- [3]Panek P.The Influence of the Base Material Parameters on Quantum and Photoconversion Efficiency of the Si Solar Cells[J].Archives of Metallurgy and Materials,2016,61(4):1889-1894.
- [4]马丁·格林.太阳电池工作原理、工艺和系统的应用[M].北京:电子工业出版社,1987:90-93.