砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(1)
向贤碧,廖显伯
摘要(Abstract)：
介绍以直接带隙Ⅲ-Ⅴ族材料为主体的多结叠层聚光太阳电池的特性和研发进展。据报道,三结叠层GaInP/GaAs/Ge太阳电池已成为空间能源的主力军,四结叠层GaInP/GaAs/GaInPAs/GaInAs聚光太阳电池的效率已达46.5%。在不远的将来,实现高效(>50%)、低成本的Ⅲ-Ⅴ族多结叠层聚光电池是有现实可能的。
关键词(KeyWords)： Ⅲ-Ⅴ族材料;多结叠层电池;高效聚光电池;外延生长技术
基金项目(Foundation):
作者(Author): 向贤碧,廖显伯
参考文献(References)：
- [1]Green M A,Emery K,Hishikawa Y,et al.Solar cell efficiency tables(Version 45)[J].Progress in Photovoltaics:Research and Applications,2015,23(1):1-9.
- [2]Tibbits T N D,Beutel P,Grave M,et al.New effi ciency frontiers with wafer-bonded multi-junction solar cells[A].29th European PV Solar Energy Conference and Exhibition[C],Amsterdam,Netherlands,2014.(待续)