“SE+PERC”单晶硅太阳电池激光掺杂区域的漏电现象研究RESEARCH ON LEAKAGE PHENOMENON IN LASER DOPED REGION OF “SE+PERC” MONO-Si SOLAR CELLS
刘苗,王松,何灿,陈素素,武晓燕
摘要(Abstract):
在选择性发射极(SE)技术与钝化发射极背接触(PERC)技术相结合(即“SE+PERC”)的单晶硅太阳电池技术路线中,通常采用激光技术进行局部重掺杂,即利用激光的高温特性将硅片表面磷硅玻璃(PSG)层内的磷原子推入硅片内部,形成高低结,从而提高太阳电池的光电转换效率。但是经过激光扫描后的掺杂区域表面的PSG层会被激光损伤,损伤区域在进行碱抛光时常因掩膜的保护性差而被碱溶液腐蚀,导致p-n结被破坏,造成局部严重漏电,从而影响太阳电池的整体电性能。针对“SE+PERC”单晶硅太阳电池制备过程中激光掺杂区域出现的漏电现象,分析了漏电原因,并给出了采用SE激光掺杂工艺及碱抛光工艺时的优化建议。
关键词(KeyWords): 太阳电池;选择性发射极;钝化发射极背接触;激光掺杂;碱抛光;漏电
基金项目(Foundation):
作者(Author): 刘苗,王松,何灿,陈素素,武晓燕
DOI: 10.19911/j.1003-0417.tyn20210918.01
参考文献(References):
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