刘苗,王松,何灿,陈素素,武晓燕

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摘要(Abstract)：

在选择性发射极(SE)技术与钝化发射极背接触(PERC)技术相结合(即“SE+PERC”)的单晶硅太阳电池技术路线中，通常采用激光技术进行局部重掺杂，即利用激光的高温特性将硅片表面磷硅玻璃(PSG)层内的磷原子推入硅片内部，形成高低结，从而提高太阳电池的光电转换效率。但是经过激光扫描后的掺杂区域表面的PSG层会被激光损伤，损伤区域在进行碱抛光时常因掩膜的保护性差而被碱溶液腐蚀，导致p-n结被破坏，造成局部严重漏电，从而影响太阳电池的整体电性能。针对“SE+PERC”单晶硅太阳电池制备过程中激光掺杂区域出现的漏电现象，分析了漏电原因，并给出了采用SE激光掺杂工艺及碱抛光工艺时的优化建议。

关键词(KeyWords)： 太阳电池;选择性发射极;钝化发射极背接触;激光掺杂;碱抛光;漏电

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作者(Author): 刘苗,王松,何灿,陈素素,武晓燕

DOI: 10.19911/j.1003-0417.tyn20210918.01

参考文献(References)：

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