张福庆,王贵梅,赵环,张军杰,朱少杰

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摘要(Abstract)：

以采用PECVd工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池电致发光(EL)发黑的影响为研究对象进行了实验验证。结果表明,当背面氮化硅薄膜中底层膜的折射率较低时,会导致双面单晶硅太阳电池背电极位置的EL发黑;底层膜和中层膜的折射率过高时,会导致双面单晶硅太阳电池的EL大面积发黑;上层膜边缘的折射率较高时,会导致双面单晶硅太阳电池的边缘位置EL发黑。对于双面单晶硅太阳电池而言,采用PECVd工艺制备背面氮化硅薄膜时制定合理的底层膜、中层膜,以及上层膜边缘的折射率范围,可以有效避免双面单晶硅太阳电池不良品的产生。

关键词(KeyWords)： 单晶硅;双面太阳电池;PECVd;氮化硅薄膜;EL发黑;折射率;开槽激光

Abstract:

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基金项目(Foundation):

作者(Author): 张福庆,王贵梅,赵环,张军杰,朱少杰

DOI: 10.19911/j.1003-0417.tyn20200320.01

参考文献(References)：

• [1]段光复.高效晶硅太阳电池技术——设计、制造、测试、发电[M].北京:机械工业出版社,2014.
• [2]王文静.晶体硅太阳电池制造技术[M].北京:机械工业出版社,2013:242-243,120-121.