PECVD工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池EL发黑的影响EFFECT OF REAR SiN_x FILM PREPARED BY PECVD ON EL BLACKENING FOR BIFACIAL MONO-CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS
张福庆,王贵梅,赵环,张军杰,朱少杰
摘要(Abstract):
以采用PECVd工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池电致发光(EL)发黑的影响为研究对象进行了实验验证。结果表明,当背面氮化硅薄膜中底层膜的折射率较低时,会导致双面单晶硅太阳电池背电极位置的EL发黑;底层膜和中层膜的折射率过高时,会导致双面单晶硅太阳电池的EL大面积发黑;上层膜边缘的折射率较高时,会导致双面单晶硅太阳电池的边缘位置EL发黑。对于双面单晶硅太阳电池而言,采用PECVd工艺制备背面氮化硅薄膜时制定合理的底层膜、中层膜,以及上层膜边缘的折射率范围,可以有效避免双面单晶硅太阳电池不良品的产生。
关键词(KeyWords): 单晶硅;双面太阳电池;PECVd;氮化硅薄膜;EL发黑;折射率;开槽激光
基金项目(Foundation):
作者(Author): 张福庆,王贵梅,赵环,张军杰,朱少杰
DOI: 10.19911/j.1003-0417.tyn20200320.01