管式PECVD法沉积的Si_yN_x/SiO_xN_y叠层膜的研究STUDY ON Si_yN_x/SiO_xN_y LAMINATED FILM DESPOSITED BY TUBULAR PECVD METHOD
王贵梅,许志卫,靳迎松,朱少杰,王少丽
摘要(Abstract):
本文对采用管式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积的氮化硅与氮氧化硅(Si_yN_x/SiO_xN_y)叠层膜进行了实验研究,结果表明:在硅片正面镀膜时增加SiO_xN_y膜层,既可以增强正面的钝化效果,还可以降低对光的反射率,增加光吸收率,从而提升太阳电池的短波响应能力,通过对膜层组分和反应气体流量等工艺参数进行匹配优化,使太阳电池的光电转换效率提升了0.07%;利用Si_yN_x/SiO_xN_y叠层膜抗氧化、抗钠离子的特性,使太阳电池的抗电势诱导衰减(PID)性能提升了22%。
关键词(KeyWords): 管式PECVD;氮氧化硅薄膜;氮化硅薄膜;Si_yN_x/SiO_xN_y叠层膜;太阳电池;短波响应;抗PID性能
基金项目(Foundation):
作者(Author): 王贵梅,许志卫,靳迎松,朱少杰,王少丽
DOI: 10.19911/j.1003-0417.tyn20201010.01
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