王贵梅,许志卫,靳迎松,朱少杰,王少丽

• 1:晶澳太阳能有限公司

摘要(Abstract)：

本文对采用管式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积的氮化硅与氮氧化硅(Si_yN_x/SiO_xN_y)叠层膜进行了实验研究,结果表明:在硅片正面镀膜时增加SiO_xN_y膜层,既可以增强正面的钝化效果,还可以降低对光的反射率,增加光吸收率,从而提升太阳电池的短波响应能力,通过对膜层组分和反应气体流量等工艺参数进行匹配优化,使太阳电池的光电转换效率提升了0.07%;利用Si_yN_x/SiO_xN_y叠层膜抗氧化、抗钠离子的特性,使太阳电池的抗电势诱导衰减(PID)性能提升了22%。

关键词(KeyWords)： 管式PECVD;氮氧化硅薄膜;氮化硅薄膜;Si_yN_x/SiO_xN_y叠层膜;太阳电池;短波响应;抗PID性能

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 王贵梅,许志卫,靳迎松,朱少杰,王少丽

DOI: 10.19911/j.1003-0417.tyn20201010.01

参考文献(References)：

• [1] CHOVAN J,FIGURA D,CHLPíK J, et al. Design,fabrication and characterization of SiOx/SiON/SiO2/Si structures for passive optical waveguides realization[C]//Photonics prague 2017, August 28-30, 2017, Czech Republic.
• [2]但亚平,岳瑞峰,王燕,等.富氧氮氧化硅薄膜退火的研究[J].半导体学报, 2002(4):388-393.
• [3]何素明.等离子体增强化学气相沉积工艺制备SiON膜及对硅的钝化[J].物理学报, 2014, 63(12):370-376.
• [4]张宗波.氮氧化硅薄膜的研究进展[J].材料导报,2009(21):110-114.
• [5]陈凤翔,崔容强. PECVD对硅材料的钝化作用[J].太阳能学报, 2003, 24(3):348-351.
• [6]林泽文,林圳旭,宋超,等.富硅a-SiOxNy:H薄膜的电致发光特性[J].发光学报, 2013, 34(11):1479-1482.
• [7]王文静.晶体硅太阳电池制造技术[M].北京:机械工业出版社, 2013:288.
• [8]孙仲刚.光伏组件PID效应及解决方案论析[J].河北工业科技, 2016, 33(2):151-157.