张群芳,朱美芳,刘丰珍

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摘要(Abstract)：

<正>一引言用薄膜工艺在晶体硅衬底上制备非晶、纳米晶薄膜,可获得异质结电池,该类电池有以下优点:(1)材料消耗少;晶硅片厚度≤200μm,通常晶硅电池厚度为350μm;

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作者(Author): 张群芳,朱美芳,刘丰珍

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