摘要(Abstract)：

<正> 当光照射在具有P-N结的硅片上时,由于P-N结很浅,大部分光都被硅片基体吸收(图5)。如果硅材料晶体结构完整,光生载流子(少数载流子)的扩散长度大,其大部分都能扩散到P-N结,被结分开后,便吸附在结的两侧。如在两侧之间连接一外电阻R,则必有电流通过。由于光一直在照射,积累电荷从P-N结两侧流走之后,又产生新的积累电荷,从而达到动态平衡。在不接外电阻时,P-N结两侧积累电荷产生的光生电压,和接外电阻时不同。通常电池开路状态的

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