张建军,张志敏,张进臣,靳迎松,刘苗

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摘要(Abstract)：

近年来晶体硅太阳电池PERC技术已经全面推广,在此基础上的选择性发射极(selective emiter,SE)激光掺杂技术也逐渐趋于成熟,已实现工业化量产,且以产线升级简单、兼容性好等优势逐渐成为新一代主流产品。论述了一种匹配SE+PERC技术的新型太阳电池扩散工艺,即通过改善磷硅玻璃(PSG)层的厚度、表面掺杂浓度来降低激光掺杂过程对硅片绒面的损伤,从而减少开路电压的损失;同时重掺区得到更高的掺杂浓度,可以明显改善欧姆接触,使SE激光掺杂技术的优势体现得更明显。

关键词(KeyWords)： PERC太阳电池;SE;激光掺杂;磷掺杂浓度;PSG层;欧姆接触

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基金项目(Foundation):

作者(Author): 张建军,张志敏,张进臣,靳迎松,刘苗

参考文献(References)：

• [1]艾凡凡,张光春,顾晓峰,等.氮化硅掩膜法制备选择性发射极晶体硅太阳能电池[J].人工晶体学报, 2009,38(2):382-386.
• [2]屈盛,刘祖明,廖华,等.选择性发射极太阳能电池结构及实现方法[J].阳光能源, 2004(4):42-45.
• [3]弭辙,陈诺夫,白一鸣.激光选择发射极太阳电池工艺的研究[J].微电子技术, 2016(1):43-47.