太阳能

2015, No.253(05) 47-51+68

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硅管西门子法多晶硅及物理冶金法多晶硅制备

张忆延

摘要(Abstract):

论述了:1)使用本征导电性硅环作为籽晶,采用直拉硅单晶炉及切克劳斯基法拉制等径的具有p型、n型或本征导电性的硅管;2)用p型或n型硅管作为化学西门子法还原炉中的热载体,当载体加热温度在1050~1100℃时,还原炉内高纯氢及三氯氢硅反应生成的硅沉积在热载体上,制备纯度99.99999%以上的本征或导电性的硅管多晶硅;3)用本征导电性的硅管作为容器,装入纯度大于99.99%的物理冶金法生产的原料硅,采用区熔单晶硅炉,用悬浮区域炼熔法对硅管多次定向凝固,利用分凝效应制备纯度大于99.9999%的硅管太阳能级多晶硅棒。

关键词(KeyWords): 硅管;硅管西门子多晶硅;硅管物理冶金多晶硅

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 张忆延

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