微孔缺陷对晶硅太阳电池性能的影响研究
杨伟强,魏红军,王松,李宁,李守卫,任丙彦
摘要(Abstract):
铸锭晶硅材料的微孔缺陷,是影响太阳电池光电转换性能的重要因素。本文对晶硅材料的微孔缺陷在电池工艺中的形态变化进行了研究,试验结果证实,该微孔缺陷是导致电池并联电阻降低的主要原因。本文利用透光测试技术分析了晶片中的微孔缺陷,结合激光扫描共聚焦显微(LSCM)技术对漏电区域的形貌进行分析研究,实验结果表明,微孔缺陷与电极重合将导致表面金属浆料的塌陷,是形成电池漏电的主要原因。
关键词(KeyWords): 晶硅;太阳电池;缺陷;激光扫描共聚焦显微
基金项目(Foundation): “863”计划“效率20%以上低成本晶体硅电池产业化成套关键技术研究及示范生产线”(2012 AA050301)
作者(Author): 杨伟强,魏红军,王松,李宁,李守卫,任丙彦
参考文献(References):
- [1]Nikolai Kolesnikov,Elena Borisenko.Modern aspects of bulk crystal and thin fi lm prepatation[M].Croatia:In Tech 2012,46-68.
- [2]Breitenstein O,J Bauer,Trupke T,et al.On the detection of shunts in silicon solar cells by photo-and electroluminescence imaging[J].Progress in Photovoltaics:Research and Applications.2008,16,325-330.
- [3]Victor Prajapati,Emanuele Cornagliotti,Richard Russell,et al.High effi ciency industrial silicon solar cells on silicon Mono2TM cast material using dielectric passivation and local BSF[A].24th European Photovoltaic Solar Energy Conference[C],Hamburg,2009.
- [4]王春梅.激光扫描共聚焦显微镜技术[M].西安:第四军医大学出版社,2004,3-11.