陈健

摘要(Abstract)：

<正> 目前,以半导体电极为基础的太阳能光电化学池(PEC)的半导体电极存在着各种各样的问题。如光能转化效率高的窄禁带半导体(如InP、GaP等)不太稳定,易受光腐蚀。而稳定性好的一些宽禁带或窄禁带半导体(如TiO_2、Fe_2O_3、MoS_2等)存在能量不匹配(平带电位U_(1b)太正)的问题。但是几年来的研究表明,在通常的PEC池中,解决这些问题特别是在不损失光能转化效率下解决光化学转化的电极的稳定性问题,并不是件容易的事,至今尚未有圆满的办法。对于一些稳定性较高的半导体金属氧化物,例如nFe_2O_3(Eg=2.2eV),n-CdO(Eg=2.2eV),n-WO_3(Eg=2.7eV),n-FeTiO_3(Eg=2.8eV),和某些

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作者(Author): 陈健

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