左克祥,王安,张晋阳,钱金忠,李永田,杜东亚,凡金星

• 1:国家能源集团常州发电有限公司
• 2:常州天合智慧能源工程有限公司
• 3:天合光能股份有限公司光伏科学与技术国家重点实验室

摘要(Abstract)：

以采用低温低压氧化工艺的PERC单晶硅太阳电池为研究对象，将在（600～700℃低温段、200mbar低压条件下制备的二氧化硅层作为PERC单晶硅太阳电池发射极表面的钝化层，并对该种太阳电池与未采用氧化工艺的PERC单晶硅太阳电池的性能进行测试及对比。测试结果显示：采用低温低压氧化工艺的PERC单晶硅太阳电池与未采用氧化工艺的PERC单晶硅太阳电池相比，光电转换效率可提高0.64%，方块电阻可增加8.3?/□，少子寿命可提高59.76μs，开路电压和短路电流可分别提高0.01080 V和0.13 A。由此可知，低温低压氧化工艺是提高PERC单晶硅太阳电池光电转换效率的有效途径。以期可为更高效PERC单晶硅太阳电池的制备提供参考。

关键词(KeyWords)： PERC单晶硅太阳电池;低温低压;氧化工艺;钝化层;二氧化硅

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家重点研发计划（2018YFB1500503）

作者(Author): 左克祥,王安,张晋阳,钱金忠,李永田,杜东亚,凡金星

DOI: 10.19911/j.1003-0417.tyn20210830.01

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