低温低压氧化工艺对PERC单晶硅太阳电池性能影响的研究STUDY ON EFFECT OF LOW TEMPERATURE AND LOW PRESSURE OXIDATION PROCESS ON THE PERFORMANCE OF PERC MONO-Si SOLAR CELLS
左克祥,王安,张晋阳,钱金忠,李永田,杜东亚,凡金星
摘要(Abstract):
以采用低温低压氧化工艺的PERC单晶硅太阳电池为研究对象,将在(600~700℃低温段、200mbar低压条件下制备的二氧化硅层作为PERC单晶硅太阳电池发射极表面的钝化层,并对该种太阳电池与未采用氧化工艺的PERC单晶硅太阳电池的性能进行测试及对比。测试结果显示:采用低温低压氧化工艺的PERC单晶硅太阳电池与未采用氧化工艺的PERC单晶硅太阳电池相比,光电转换效率可提高0.64%,方块电阻可增加8.3?/□,少子寿命可提高59.76μs,开路电压和短路电流可分别提高0.01080 V和0.13 A。由此可知,低温低压氧化工艺是提高PERC单晶硅太阳电池光电转换效率的有效途径。以期可为更高效PERC单晶硅太阳电池的制备提供参考。
关键词(KeyWords): PERC单晶硅太阳电池;低温低压;氧化工艺;钝化层;二氧化硅
基金项目(Foundation): 国家重点研发计划(2018YFB1500503)
作者(Author): 左克祥,王安,张晋阳,钱金忠,李永田,杜东亚,凡金星
DOI: 10.19911/j.1003-0417.tyn20210830.01
参考文献(References):
- [1] BENTZEN A,HOLT A. Overview of phosphorus diffusion and gettering in multicrystalline silicon[J]. Materials science and engineering B,2009,159(11):228-234.
- [2]陈俊帆,赵生盛,高天,等.高效单晶硅太阳电池的最新进展及发展趋势[J].材料导报,2019,33(1):113-119.
- [3]杜文龙,刘永生,司晓东,等.晶体硅电池表面钝化的研究进展[J].材料科学与工程学报,2015(4):613-618.
- [4]周春兰,唐煜,王文静,等.晶体硅太阳电池的SiNx:H/热氧化SiO2双层结构的表面钝化特性研究[C]//中国可再生能源学会.第十届中国太阳能光伏会议论文集.杭州:浙江大学出版社,2008.
- [5]叶发敏,冯仕猛,郭爱娟,等.热氧化生长的SiO2钝化膜对晶体硅太阳电池性能的影响[J].太阳能学报,2012,33(2):270-272.
- [6] SRIVASTAVA S K,SINGH P,YAMEEN M,et al.Antireflective ultra-fast nanoscale texturing for efficient multi-crystalline silicon solar cells[J]. Solar energy,2015,115:656-666.
- [7] SCHMITT S W,SCHECHTEL F,AMKREUTZ D,et al. Nanowire arrays in multicrystalline silicon thin films on glass:a promising material for research and applications in nanotechnology[J]. Nano letters,2012,12(8):4050-4054.
- [8] YELUNDUR V,NAKAYASHIKI K,HILALI M,et al. Implentation of a homogeneous high-sheet-resistance emitter in multi-crystalline silicon solar cells[C]//IEEE Photovoltaic Specialists Conference,January 3-7,2005,Florida,USA.