关于N型晶体硅费米能级的研究
王惠,杨伟强,严金梅,魏红军
摘要(Abstract)：
采用数值方法计算了掺杂浓度为1016 cm-3的N型晶体硅费米能级随温度(0~800 K)的变化曲线,并讨论了禁带宽度随温度变化时对费米能级的影响。计算结果显示,在温度0 K
关键词(KeyWords)：
费米能级;N型半导体硅;电中性条件;数值计算
基金项目(Foundation):
作者(Author):
王惠,杨伟强,严金梅,魏红军
参考文献(References)：
- [1]An Xingtao,Liu Jianjun.Even-odd parity oscillations in spin polarization of a quantum dot array[J].Applied Physics Letters,2009,95(16),163501.
- [2]Sun Q F,Xie X C.Bias-controllable intrinsic spin polarization in a quantum dot:Proposed scheme based on spin-orbit interaction[J].Physical Review,B 73,2006,235301.
- [3]王德丰.单掺杂及混合掺杂半导体费米能级随温度变化的数值计算[D].长春:东北师范大学,2009.
- [4]王中长,刘天模,李家鸣.混合杂质半导体费米能级公式及数值计算[J].重庆大学学报,2003,26(11):52-55.
- [5]姚朋军,沈桂芬.Matlab在计算半导体费米能级和载流子浓度中的应用[J].辽宁大学学报(自然科学版),2001,28(3):253-256.
- [6]周亚训.单一杂质半导体费米能级的普适公式[J].大学物理,1999,(10):10-11.
- [7]黄瑞,马平平.费米能级之近似计算[J].首都师范大学学报(自然科学版),1995,16(4):52-58.
- [8]肖志雄,郑茳,魏同立,等.重掺杂硅费米能级和少数载流子浓度的温度特性分析[J].低温物理学报,1995,17(2):101-109.
- [9]马松山,徐慧,刘小良,等.无序度和温度对一维无序体系费米能的影响[J].中南大学学报(自然科学报),2007,38(2):281-284.
- [10]刘恩科,朱秉升,罗晋生.半导体物理学(第4版)[M].北京:国防工业出版社,2010.
- [11]黄昆,谢希德.半导体物理学[M].北京:科学出版社,1958.