单晶硅太阳电池湿法刻蚀工艺研究RESEARCH ON WET ETCHING PROCESS OF MONO-Si SOLAR CELLS
何灿,武晓燕,巩运涛,邵海娇,刘苗
摘要(Abstract):
太阳电池制备过程中湿法刻蚀工艺包括湿法酸抛和湿法碱抛2种,湿法酸抛工艺是利用混酸溶液,对扩散后或激光掺杂后硅片的边缘和背面进行腐蚀,以去除硅片的边缘及下表面的p-n结。目前湿法酸抛工艺使用湿法刻蚀机台,刻蚀机刻蚀槽补液的硝酸/氢氟酸比例高,使硝酸处于过量状态。鉴于含硝酸的废液的处理成本高,且硝酸过量同样不利于硅片背面抛光的现状,提出一种在不影响太阳电池光电转换效率和良率前提下的湿法酸抛工艺——富氢氟酸工艺。若要对产线进行更新换代,则可采用湿法碱抛工艺,该工艺是去除硅片背面磷硅玻璃后,利用强碱与硅反应来去除硅片背面的p-n结,该工艺与产线更容易匹配,且更加环保。
关键词(KeyWords): 太阳电池;湿法酸抛;湿法碱抛;光电转换效率
基金项目(Foundation):
作者(Author): 何灿,武晓燕,巩运涛,邵海娇,刘苗
DOI: 10.19911/j.1003-0417.tyn20210207.01