太阳能

2022, No.338(06) 97-102

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Archive) | 高级检索(Advanced Search)

石墨舟卡点处硅片及单晶硅太阳电池品质异常的研究
RESEARCH ON ABNORMAL QUALITY OF SILICON WAFERS AND MONO-Si SOLAR CELLS AT THE STUCK POINT OF GRAPHITE BOAT

张福庆,王贵梅,孙晓凯,赵鹏飞,曹占傲

摘要(Abstract):

在太阳电池制备过程中,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺对硅片背面镀膜是其重要工序之一,但石墨舟卡点处的硅片在镀膜后常出现瑕疵,且制备的太阳电池进行电致发光(EL)测试时石墨舟卡点处存在EL发黑的情况,严重影响太阳电池的品质。基于此,以利用二合一管式PECVD设备进行硅片背面镀膜时出现的石墨舟卡点处硅片瑕疵及单晶硅太阳电池EL发黑的异常现象为研究对象,分析了此种PECVD设备镀膜时,射频电流、石墨舟卡点形状及石墨舟清洗液配方对石墨舟卡点处硅片和单晶硅太阳电池品质异常的影响,并提出了解决方案。结果表明:利用二合一管式PECVD设备进行硅片背面镀膜时,采用低射频电流、石墨舟采用与硅片接触面积大的卡点形状、石墨舟清洗液配方选择单纯的氢氟酸溶液,能有效解决石墨舟卡点处硅片和单晶硅太阳电池品质异常的情况,显著提升硅片使用该PECVD设备镀膜时的品质及太阳电池良品率。

关键词(KeyWords): 二合一;管式PECVD设备;镀膜;石墨舟卡点处;硅片;太阳电池;品质异常

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 张福庆,王贵梅,孙晓凯,赵鹏飞,曹占傲

DOI: 10.19911/j.1003-0417.tyn20210311.01

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享