太阳能级多晶硅中B、P杂质的危害及去除
李光明,刘龙,栾石林,李雷,赵恒利,何京鸿
摘要(Abstract):
介绍B、P对太阳电池性能的影响,综述当前去除B、P的主要方法与技术,分析各自的优点及不足,并对其以后的发展趋势做简要分析。
关键词(KeyWords): 多晶硅;B;P;提纯
基金项目(Foundation): 云南省科技计划项目重大科技专项——新能源(2013ZB002)
作者(Author): 李光明,刘龙,栾石林,李雷,赵恒利,何京鸿
参考文献(References):
- [1]钟根香,周浪,周潘兵,等.定向凝固多晶硅的结晶组织及晶体缺陷与杂质研究[J].材料导报,2008,22(12):14-18.
- [2]蔡靖,陈朝,罗学涛.高纯冶金硅除硼的研究进展[J].材料导报,2009,23(12):81-84.
- [3]何念银,艾韬,周建,等.太阳能级硅中硼磷的去除[J].化学世界,增刊:107-107.
- [4]郎永沛,储少军,林俊峰.多晶硅中杂质元素B、P的来源分析[J].铁合金,2011,(5):11-13.
- [5]邓海,杨德仁.铸造多晶硅中杂质对少子寿命的影响[J].太阳能学报,2007,28(2):152-154.
- [6]杨亚君,臧丹伟.高纯三氯氢硅精制技术改造[J].化学工业与工程,2009,26(6):532-534.
- [7]聂少林,汤忠科,肖建辉,等.2种除三氯氢硅中硼、磷工艺的比较[J].氯碱工业,2010,46(11):31-32.
- [8]易正义.改良西门子法仍将维持主导地位[N].中国电子报,2009,第004版:1-1.
- [9]徐远志.改良西门子法制备工艺及其生产技术现状[J].云南冶金,2011,40(1):52-55.
- [10]张开仕.三氯氢硅的生产技术与研究进展[J].无机盐工业,2011,43(8):11-13.
- [11]峨眉半导体材料研究所第一研究室多晶组.高纯多晶硅的制取[J].稀有金属,1979,(6):8-18.
- [12]赵敏.关于提高和稳定多晶硅质量的几点设想[J].中国有色冶金,1981,(1):19-20.
- [13]峨眉半导体材料研究所第一研究室多晶组.高纯多晶硅的制取[J].稀有金属,1979,(6):8-18.
- [14]陈文,徐昱,陈位强,等.三氯氢硅精馏新过程的研究及其节能降耗的应用[J].化工进展,2009,28(增刊):297-300.
- [15]黄国强,石秋玲,王红星,等.去除氯硅烷体系中硼杂质的隔板吸附装置及方法[P].中国:CN102058992,2011-05-18.
- [16]唐前正,何劲,李钊,等.改良西门子法生产多晶硅工艺中除硼、磷的方法[P].中国:CN101759186,2010-06-30.
- [17]刘田根.三氯氢硅加压提纯法[J].江西化工,2011,(3):163.
- [18]黄和明,赵产奎,夏建保.一种三氯氢硅提纯方法[P].中国:CN101045536,2007-10-03.
- [19]A ndreas B,Rainer W,Leslaw M,et al.Method for producing tri-chlorosilane[P].美国:US7056484,2006-06-06.
- [20]G·哥蒂.提纯三氯硅烷和四氯化硅的方法和设备[P].中国:CN101065324,2007-10-31.
- [21]Tzou M S.Phosphorous removal from chlorosilane[P].美国:US5723644,1998-03-03.
- [22]小柳信一郎,井関!二.クロロミテソ類の精制方法[P].日本:JP 067919,2005-03-17.