空心阴极气流溅射法沉积Al掺杂ZnO膜的电学与光学性质(上)Electeical and optical properties of Al-doped ZnO films deposited by hollow cathode gas flow sputtering
刘光诒,Hiroshi Takeda,Yasushi Sat,Yoshinori Iwabuch
摘要(Abstract)：
对Al掺杂的Zn O膜(AZO),一般是通过空心阴极气流溅射法,采用Zn-Al合金靶,将它沉积在玻璃上。溅射功率通常固定在1500 W,室温下,O2流量为38~50 sccm,可沉积出电阻率0.81×10-3~1.1×10-3Ω·cm的AZO膜,沉积速率几乎恒定在270~300 nm/min。此外,在200℃、O2流量为25~50 sccm下,也能得到5.2×10-4~6.4×10-4Ω·cm的低电阻率AZO膜,且能达到200~220 nm/min恒定沉积速率。两种膜在可见光范围内的透明度均在80%以上。
关键词(KeyWords)： 空心阴极气流溅射法;ZnO膜;Al掺杂;电学性质;光学性质
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作者(Author): 刘光诒,Hiroshi Takeda,Yasushi Sat,Yoshinori Iwabuch
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