姚玉,李良,李化阳,王霞,王俊,赵勇

• 1:镇江大全太阳能有限公司

摘要(Abstract)：

为改善多晶硅片在管式PECVD设备中的镀膜均匀性,主要从镀膜工艺参数的设定、硅片制绒面反射率及石墨舟状态这3个方面进行了镀膜均匀性研究。结果表明:在保证良率的前提下,当外层压力为1700 mTorr、内层氮硅比为4.487、射频功率为7600 W时,调节直接链接变量(DLV)优化石墨舟各区温度且定期清理腔体内部的碎片可改善镀膜均匀性;在一定范围内,制绒面反射率增加,片内均匀性更优;新石墨舟对镀膜均匀性有明显改善,在使用周期内,运行30次时均匀性达到最优。

关键词(KeyWords)： 多晶硅;管式PECVD;镀膜均匀性;改善

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 姚玉,李良,李化阳,王霞,王俊,赵勇

参考文献(References)：

• [1]白翔,郭卫,贾彦科,等.多晶管式PECVD镀膜均匀性的研究[J].企业技术开发：中旬刊, 2013,(11):51-52.
• [2]代同光,李拴,郭永刚,等.管式PECVD设备镀膜均匀性研究[J].通信电源技术, 2018, 32(9):107-109.
• [3]周艺,欧衍聪,郭长春,等. PECVD工艺参数对双层SiNx薄膜性能的影响[J].材料科学与工程学报, 2012, 30(6):827-830.
• [4]郭丽,武纹平,陈丽.管式PECVD氮化硅薄膜不同退火环境的工艺研究[J].人工晶体学报, 2018, 47(1):231-234.
• [5] Li Yan, Li Xu-dong, Xu Ying,et al. Characterization of Asdeposited and annealing SiNfilms deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition[J].中山大学学报(自然科学版),2003, 42(增刊):75-77.
• [6]李伟东,吴学忠,李圣怡,等．PECVD氮化硅薄膜制备工艺研究[J].中国机械工程, 2005, 16(增刊):396-398.
• [7]陶涛,苏辉,谢自力,等．PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究[J].微纳电子技术, 2010, 47(5):267-303.
• [8]汪文君,孙建洁,朱塞宁,等．PECVD法氮化硅薄膜制备工艺的研究[J].电子与封装, 2013, 13(11):40-43.
• [9]张晓明,李翠双,刘海金,等．板式PECVD镀膜均匀性及颜色优化研究[J].光电子技术, 2018, 13(11):141-144.
• [10] Han G C, Luo P, Li K B, et al. Growth and characterization of silicon nitridefilms on various underlying materials[J]. Appl. ied Physics A, 2002, 74:243-247.
• [11]张波,赵彩霞,杨飞飞,等．石墨舟对二次镀膜工艺的影响[J].山西能源学院学报, 2017, 30(4):215-216.